发明名称 |
含氧的n-型β-硅化铁(FeSi<sub>2</sub>)及其制造方法 |
摘要 |
含氧的n-型beta-FeSi2纳米线是经由化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition)来合成。在650℃~950℃的温度范围间,经由载流气体(carrier gas)将前驱物FeCl3运送到硅基板处反应生成n-型β相的FeSi2,β-FeSi2的结构可以经由XRD和TEM的分析交互比对来获得证实,且其结构的形貌也可经由SEM直接观测。综合以上分析,在650℃~950℃的温度之间找到一个稳定的方法来合成n-型β-FeSi2纳米线。 |
申请公布号 |
CN102683476A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201110069236.7 |
申请日期 |
2011.03.18 |
申请人 |
张嘉峰 |
发明人 |
张嘉峰 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王雪静;逯长明 |
主权项 |
一种n‑型β‑硅化铁(FeSi2)的制造方法,在硅晶圆上以化学气相沉积含氧的n‑型β‑FeSi2,至少包含下列步骤:将一个多区石英炉管,第一区放置反应所需的前驱物,第二、三区则放入清洗过后的硅晶圆,将石英炉管内的压力抽至1至10‑3torr后通入惰性气体1至30torr,再将压力抽到1至10‑3torr,此动作反复数次;升温到水的沸点以上,持温一个小时将结晶水去除;通入所需的载流气体,该载流气体的流量大于15sccm,将前驱物慢慢带到待反应的硅基板上,氧则来自硅晶圆上的氧化层(native oxide),使得金属氯化物在与硅基板反应之前先与氧气反应,而产生Fe‑O,再与基板反应形成FeSi2;将第二区和第三区的温度升到反应温度并维持一段时间,该反应温度为650℃至950℃;停止加热,在真空下回温至室温,但载流气体仍旧持续将前驱物运送到硅基板上,同时也慢慢地将热量带走,慢慢退火而得含氧的n‑型β‑FeSi2。 |
地址 |
中国台湾云林县 |