发明名称 |
CMOS图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器,包括:半导体基片,包括第一有源区,其中,所述第一有源区中包括光电二极管,晶体管,以及第二有源区,其中,所述第二有源区邻近所述光电二极管的阱,并且具有与所述光电二极管的阱相同的导电类型,所述第二有源区连接到参考电位,其中,所述第二有源区和所述光电二极管的阱通过一次离子注入形成。 |
申请公布号 |
CN102683368A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210074821.0 |
申请日期 |
2012.03.20 |
申请人 |
格科微电子(上海)有限公司 |
发明人 |
赵立新;霍介光 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
郑立柱 |
主权项 |
一种CMOS图像传感器,包括:半导体基片,包括第一有源区,其中,所述第一有源区中包括光电二极管,晶体管,以及第二有源区,其中,所述第二有源区邻近所述光电二极管的阱,并且具有与所述光电二极管的阱相同的导电类型,所述第二有源区连接到参考电位,其中,所述第二有源区和所述光电二极管的阱通过一次离子注入形成。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张东路1388号20幢 |