发明名称 |
碳化硅薄膜制作方法以及金属阻挡层制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种碳化硅薄膜制作方法,在淀积一定厚度的碳化硅薄膜后,采用碳氢化合物对其进行远程等离子体处理,如此可去除碳化硅薄膜里的氮元素,并且由于是远程等离子体处理,对被处理的碳化硅薄膜表面几乎没有任何损伤,这样周而复始几个循环达到目标厚度后结束,利用本发明制备出来的碳化硅薄膜氮含量极低,从而避免了光阻中毒的风险,并且每一层碳化硅薄膜均用远程等离子体来进行处理,所以最后形成的碳化硅薄膜的品质没有任何的变差,并可延长腔体内一些部件的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN102683199A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210170352.2 |
申请日期 |
2012.05.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
张文广;陈玉文 |
分类号 |
H01L21/314(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/314(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种碳化硅薄膜制作方法,包括:S1:采用含氮气体沉积碳化硅薄膜;S2:采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行远程等离子体处理;重复所述步骤S1至S2,直至形成目标厚度的碳化硅薄膜。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |