Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors (TFT) durch Ausnutzung der Unterschiede von Materialien in dem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors (TFT) durch Ausnutzung der Unterschiede des Materials im Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Aufstapeln einer unteren Schicht auf ein Substrat; Herstellung einer Vielzahl von voneinander getrennten Teilbereichen durch Strukturierung der unteren Schicht; Einfüllen leitender Tinte zur Verwendung als eine Source-Elektrode und als eine Drain-Elektrode des TFT zwischen die Teilbereiche; Aufstapeln einer hydophoben Isolierungsschicht auf die leitende Tinte und den Teilbereich, wobei die hydophobe Isolierungsschicht einen Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers aufweist, der höher ist als der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers des Teilbereichs; Bildung einer Kavität für eine Gate-Elektrode durch Bestrahlen der Teilbereiche mit einem Laser und selektives Entfernen der Teilbereiche sowie der auf den Teilbereichen angeordneten hydophoben Isolierungsschicht, dessen Durchmesser größer ist als die Breite der Kavität; und Befüllen der Kavität mit Halbleiter-Material, dielektrischem Material und als Gate-Elektrode verwendeter leitender Tinte.