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Layout-Verfahren für eine Maske, umfassend: Ausbilden einer Hauptstruktur auf einem Substrat; und Ausbilden einer Vielzahl von Füllstrukturen in derselben Größe in Gebieten, die sich vom dem Gebiet, in dem die Hauptstruktur ausgebildet ist, unterscheiden, wobei das Ausbilden der Vielzahl von Füllstrukturen umfasst: Ausbilden einer Vielzahl von Hauptfüllstrukturen, die voneinander auf dem Substrat beabstandet sind; Ausbilden einer Vielzahl von untergeordneten Füllstrukturen, indem die Vielzahl der Hauptfüllstrukturen in untergeordnete Füllstrukturen aufgeteilt werden, wobei eine erste Gruppe von Füllstrukturen einschließlich einer Vielzahl von ersten Füllstrukturen ausgebildet wird, die durch einen ersten Abstand voneinander getrennt sind, und eine zweite Gruppe von Füllstrukturen mit einer Vielzahl von zweiten Füllstrukturen ausgebildet wird, die durch den ersten Abstand voneinander getrennt sind, und Entfernen der untergeordneten Füllstrukturen, die mit der Hauptstruktur interagieren. |
