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Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinkristalls, umfassend das Drehen eines Quarzschmelztiegels (13) zum Aufbewahren einer Siliciumschmelze (12) mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit, Drehen eines Siliciumeinkristallstabs (25), welcher aus der Siliciumschmelze (12) in Gegenrichtung zu der Drehung des Quarzschmelztiegels (13) mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit gezogen wird, und Ziehen des Siliciumeinkristallstabs (25) mit einer solchen Ziehgeschwindigkeit, dass ein Inneres des Siliciumeinkristallstabs (25) zu einem fehlerfreien Bereich wird, in welchem Agglomerate von Siliciumzwischenraumpunktfehlern und Agglomerate von Gitterlückenfehlern nicht vorliegen, wobei während des Ziehens eines oberen Stabteils (25a) des Siliciumeinkristallstabs (25), in welchem die Verfestigungsgeschwindigkeit 0,15 bis 0,30 beträgt, die mittlere Drehgeschwindigkeit SRTAV des Siliciumeinkristallstabs (25) so eingestellt ist, dass sie im Bereich von 18 bis 20 UpM liegt, und die mittlere Drehgeschwindigkeit CRTAV des Quarzschmelztiegels (13) so eingestellt ist, dass sie im Bereich von 6 bis 8 UpM liegt, wobei die Verfestigungsgeschwindigkeit die Rate des Gewichts des gezogenen Stabs (25) zu dem anfänglichen... |
