SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH REDUCED SELF PINCH-OFF

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem flächigen Substrat (1), zumindest einem auf dem Substrat angeordneten Anwachs- und/oder Verspannungskompensationsschichtsystem (8,9) mit zumindest einer Schicht, zumindest einer auf dem Anwachs- und/oder Verspannungskompensationsschichtsystem angeordneten Pufferschicht (2) sowie zumindest einer auf der Pufferschicht angeordneten Steuerschicht (3), wobei die Steuerschicht und die Pufferschicht so ausgestaltet sind, dass sich zwischen ihnen eine leitfähige Schicht ausbildet und wobei zumindest eine Schicht des Anwachs - und/oder Verspannungskompensationsschichtsystems zumindest bereichsweise dotiert ist.