发明名称 Abscheidungskopf und Filmbildungsvorrichtung
摘要 Es ist ein Abscheidungskopf vorgesehen, der in der Lage ist, ein Materialgas mit einer gleichmäßigen Strömungsrate und äquithermen Eigenschaft von jeder Komponente in einem groß bemessenen Substrat sowie einem herkömmlichen klein bemessenen, zum Bilden eines gleichmäßigen Dünnfilms auszutragen. Es ist auch eine Abscheidungsvorrichtung vorgesehen, die den Abscheidungskopf umfasst. Der Abscheidungskopf ist innerhalb der Abscheidungsvorrichtung zum Bilden eines Dünnfilms auf einem Substrat vorgesehen und ausgestaltet, um ein Materialgas in Richtung des Substrats auszutragen. Der Abscheidungskopf umfasst ein äußeres Gehäuse und ein inneres Gehäuse, das innerhalb des äußeren Gehäuses vorgesehen ist und in das das Materialgas eingeleitet wird. In dem inneren Gehäuse ist eine Öffnung gebildet, die ausgestaltet ist, um das Materialgas in Richtung des Substrats auszutragen, und eine Heizung, die ausgestaltet ist, um das Materialgas zu erwärmen, ist an einer Außenfläche des äußeren Gehäuses oder in einem Raum zwischen dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen.
申请公布号 DE112010001483(T5) 申请公布日期 2012.09.13
申请号 DE201011001483T 申请日期 2010.04.02
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 ONO, YUJI;EDURA, TOMOHIKO;HAYASHI, TERUYUKI;TAMURA, AKITAKE;SAITO, MISAKO
分类号 C23C14/24;C23C14/12;H01L51/50;H05B33/10 主分类号 C23C14/24
代理机构 代理人
主权项
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