| 摘要 |
<p>r mit Body-Kontakt und Metall-Gate-Zone bereitgestellt, der eine verringerte parasitäre Gate-Kapazität aufweist, wobei über der Body-Kontaktzone ein Metallabschnitt eines Gate-Stapels (26) entfernt wird und ein siliciumhaltiges Material gebildet wird, welches mit dem Gate-Dielektrikum (28) in der Body-Kontaktzone (24) eines SOI-Substrats (12) in Kontakt steht. Hierdurch wird ein Anstieg der effektiven Dicke des Gate-Dielektrikums auf der Body-Kontaktzone um mehr als 5 Ångström (Å) bewirkt. Dies führt zu einer niedrigeren parasitären Kapazität an der Body-Kontaktzone.</p> |
