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Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Siliciumscheibe, bei dem eine auf ihrer Vorderseite polierte Siliciumscheibe auf einem Suszeptor im Epitaxiereaktor abgelegt, in einem ersten Schritt unter Wasserstoffatmosphäre sowie in einem zweiten und einem dritten Schritt unter Zugabe eines Ätzmediums zur Wasserstoffatmosphäre vorbehandelt und anschließend mit einer epitaktischen Schicht versehen wird, wobei beim ersten und beim zweiten Schritt der Wasserstofffluss 20–100 slm beträgt, beim zweiten und dritten Schritt der Fluss des Ätzmediums 0,5–1,5 slm beträgt, beim zweiten Schritt darüber hinaus eine mittlere Temperatur in der Reaktorkammer 950–1050°C beträgt und die Leistung von über und unter dem Suszeptor angeordneten Heizelementen derart geregelt wird, dass zwischen einem radialsymmetrischen, die zentrale Achse umfassenden Bereich der zu epitaxierenden Siliciumscheibe und einem außerhalb dieses Bereichs liegenden Teil der Siliciumscheibe ein Temperaturunterschied von 5–30°C besteht; und beim dritten Schritt der Wasserstofffluss auf 0,5–10 slm abgesenkt ist.
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