Halbleiteranordnung, Halbleitermodul und Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Keramiksubstrat

摘要

Halbleiteranordnung mit einem Siliziumkörper mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, wobei auf einer Oberfläche des Siliziumkörpers s eines Leistungshalbleiterchips (11) – eine dicke Metallschicht (47) aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer Dicke von mindestens 10 Mikrometer (μm); und – eine Bondstelle, an der ein Kupferbonddraht (42) mit einem Durchmesser von 300 μm bis 1 mm an die dicke Metallschicht (47) gebondet ist, aufeinanderfolgend angeordnet sind, wobei – eine dünne stromleitende Haftschicht (49a) zwischen der dicken Metallschicht (47) und dem Siliziumkörper auf der Oberfläche des Siliziumkörpers abgeschieden ist; – eine Barriereschicht (49b) zur Unterdrückung einer Diffusion von Metall aus der dicken Metallschicht (47) in den Siliziumkörper zwischen der dicken Metallschicht (47) und dem Siliziumkörper angeordnet ist.