Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung enthält: eine N-Driftschicht (1); eine P-Anodenschicht (2) auf der N-Driftschicht (1); einen Graben (3), der die P-Anodenschicht (2) durchdringt; eine leitende Substanz (5), die über eine Isolierlage (4) in den Graben (3) eingebettet ist; und eine N-Pufferschicht (6) zwischen der N-Driftschicht (1) und der P-Anodenschicht (2), die eine höhere Störstellenkonzentration als die N-Driftschicht (1) aufweist.