发明名称 |
用于等离子体增强化学气相沉积的腔室 |
摘要 |
本发明描述以实质垂直的定向等离子体处理基板的方法与设备。基板定位在包含至少两个实质垂直定向的框架的承载件上。承载件设置在等离子体腔室中,等离子体腔室具有定位于基板间的天线结构。多个等离子体腔室可耦合至具有转盘的移送腔室,以将承载件引导至目标腔室。装载器在承载件与负载锁定腔室之间移动基板,在负载锁定腔室中基板是置放在实质上水平的位置。 |
申请公布号 |
CN102668031A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201080048407.1 |
申请日期 |
2010.10.28 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
唐纳德·J·K·奥尔加多 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种用于处理基板的工艺腔室,包含:PECVD腔室,所述PECVD腔室具有单一工艺体积,所述单一工艺体积具有两个工艺区域,所述两个工艺区域经配置以处理面对面、垂直定向固定的基板;及垂直定向的天线结构,所述天线结构置中设置于所述PECVD腔室内,所述天线结构在所述单一工艺体积内分隔所述两个工艺区域。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |