具有分离点火阶段的点火阶段晶闸管

摘要

本发明涉及一种晶闸管，其包括一个半导体本体(1)，其排列如下：沿垂直方向(v)从背面(14)到前端面(13)有一p混杂发射极(8)、一n混杂基极(7)、一p混杂基极(6)和一n混杂发射极(5)按先后排列。进一步地，还提供一个包括至少一个点燃级别(AG1，AG2，AG3，AG4)的一个点燃级别结构(AG)，每个点燃级别包括一个n混杂点燃级别发射极(51，52，53，54)，这些发射极嵌在p混杂基极(6)上并从n混杂发射极(5)中分离出来。一个点燃级别电极(42)与点燃级别发射极(51，52，53，54)中的一个(52)在前端面(13)上相接触，并且具有一个与后者相接触的第一接触面(421)。在第二接触面(422)上点燃级别电极(42)与朝向n混杂发射极(5)的前端面(13)上的点燃级别发射极(52)一边的p混杂基极(6)相接触。第二个接触面(422)既与第一接触面(421)又与一个点燃级别发射极(52)相隔开。

主权项

晶闸管及一个半导体(1)，其中纵向(v)从背面(14)到与其(14)相对的正面(13)，按序叠放一个p型杂质射极(8)，一个n型杂质(7)，一个p型杂质基极(6)和一个n型杂质射极(5)，并表现出以下特征：点火结构(AG)至少含有一个点火阶段(AG1，AG2，AG3，AG4)，其各被一个n型杂质射极(5)隔开，被一个n型点火阶段射极(51，52，53，54)包裹，而其被置于一个p型杂质基极(6)内；一个电极(42)与正面(13)的点火阶段射极(52，53，54)中的(52)相接，且此连接为第一个接触面(421)，该电极使在转向n型杂质射极(5)面上的p型杂质基极(6)和在正面(13)的点火阶段射极中的射极(52)在第二接触面(422)相接，第二个接触面(422)既与第一接触面(421)又与点火阶段射极中的射极(52)相隔。