发明名称 一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块
摘要 本实用新型公开了一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块,它包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、可键合型电阻、NTC电阻、功率端子、信号端子和外壳,基板和直接敷铜基板通过钎焊结合,绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合,可键合型电阻、NTC电阻和直接敷铜基板之间也通过钎焊结合,信号端子、功率端子和直接敷铜基板通过超声焊接结合。本实用新型具有可靠性高,生产工艺简便的特点。
申请公布号 CN202434507U 申请公布日期 2012.09.12
申请号 CN201120558735.8 申请日期 2011.12.28
申请人 嘉兴斯达微电子有限公司 发明人 吕镇
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 嘉兴君度知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人 沈志良
主权项 一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块,包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、可键合型电阻、NTC电阻、功率端子、信号端子和外壳;基板和直接敷铜基板通过钎焊结合,绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合,NTC电阻和直接敷铜基板之间通过钎焊结合,外壳和基板固定;其特征在于可键合型电阻通过钎焊与直接敷铜基板结合,通过键合铝线与绝缘栅双极性晶体管芯片连接,功率端子与直接敷铜基板通过超声焊接结合,信号端子和直接敷铜基板同样通过超声焊接结合。
地址 314000 浙江省嘉兴市中环南路斯达路18号(嘉兴斯达半导体有限公司内)