化合物半导体元件的封装结构及其制造方法

摘要

本发明揭示一种化合物半导体元件的封装结构及其制造方法，该封装结构包含薄膜基板、晶粒、至少一个金属导线及透明封胶材料。该薄膜基板包含第一导电膜、第二导电膜及绝缘介电材料。该晶粒固定于该第一导电膜的表面，并通过该金属导线与该第一导电膜或该第二导电膜电连接。该透明封胶材料覆盖于该第一导电膜、该第二导电膜及该晶粒上。该第一导电膜及该第二导电膜相对于该透明封胶的表面分别作为电极，该绝缘介电材料介于该第一导电膜及该第二导电膜之间。本发明能够使元件的厚度更薄而节省所占空间，并解决散热不佳的问题。

主权项

一种化合物半导体元件的封装结构，包含：薄膜基板，该薄膜基板上形成有将该薄膜基板划分为第一导电膜、第二导电膜的沟槽，该沟槽电隔离该第一导电膜与该第二导电膜，该沟槽内填入有绝缘介电材料，其中该绝缘介电材料介于该第一导电膜与该第二导电膜之间，该第一导电膜包括可供金属导线熔接的第一打线凹槽，该第二导电膜包含可供金属导线熔接的第二打线凹槽；晶粒，固定于该第一导电膜的表面并通过金属导线分别电连接至第一导电膜的第一打线凹槽以及第二导电膜的第二打线凹槽；以及透明封胶材料，覆盖于该第一导电膜和该第二导电膜的邻近晶粒的一侧并覆盖该晶粒。