| 发明名称 | 晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管是工作速度快，在导通时能够流过大电流，在截止时截止电流非常降低的晶体管。本发明是一种纵向薄膜晶体管，其中使用氧化物半导体膜形成沟道形成区，该氧化物半导体膜是氧化物半导体所包含的氢为5×1019/cm3以下，优选为5×1018/cm3以下，更优选为5×1017/cm3以下，去除氧化物半导体所包含的氢或OH基来使载流子浓度为5×1014/cm3以下，优选为5×1012/cm3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102668095A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201080047999.5 | 申请日期 | 2010.10.08 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：衬底；所述衬底上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的第一电极；所述第一电极上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的第二电极；覆盖所述第一电极、所述氧化物半导体膜及所述第二电极的栅极绝缘膜；以及隔着所述栅极绝缘膜与所述氧化物半导体膜的侧表面相邻的第三电极，所述第三电极与所述栅极绝缘膜接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||