| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一个目的是提供一种具有稳定的电特性的包括氧化物半导体的半导体装置。在氧化物半导体层之上形成具有很多以悬挂键为典型代表的缺陷的绝缘层，并在其间插入氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，由此使氧化物半导体层中的诸如氢或湿气(氢原子或者含有氢原子的化合物(诸如H2O))的杂质移动通过所述氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，并扩散到所述绝缘层中。因而，降低了所述氧化物半导体层的杂质浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN102668096A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201080048595.8 | 申请日期 | 2010.10.06 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;宫永昭治;高桥正弘;岸田英幸;坂田淳一郎 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：晶体管，所述晶体管包括栅电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源电极层和漏电极层；具有缺陷的绝缘层；以及氧过量氧化物绝缘层，处于所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间，其中，所述氧过量氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的一部分接触，并且其中，所述氧过量氧化物绝缘层与所述绝缘层接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||