发明名称 |
一种小电极结构阻变存储器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种小电极结构阻变存储器及其制备方法,属于超大集成规模中半导体阻变存储器领域。本发明的阻变存储器包括Al电极层、SiO2层、Si层,阻变层和下电极层;其中,Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接,所述导电通道为Al经SiO2层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。本方法为:首先在沉底上依次制备一下电极层、一阻变层、一Si层、一SiO2层;然后在所述SiO2层上制备一Al电极层;最后对上述所得结构进行退火处理。本方法使用常规的技术工艺成本,就可以得到很小的实际电极,降低了成本,优化了器件,用较低的代价实现更小的实际电极面积。 |
申请公布号 |
CN102664235A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201210107418.3 |
申请日期 |
2012.04.12 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
蔡一茂;毛俊;黄如;谭胜虎;黄英龙;潘越 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余长江 |
主权项 |
一种小电极结构阻变存储器,其特征在于依次包括Al电极层、SiO2层、Si层,阻变层和下电极层;其中,Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接,所述导电通道为Al经SiO2层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |