发明名称 一种高功率因数介质阻挡放电电源电路
摘要 一种高功率因数介质阻挡放电电源电路,它包括交流输入电感L1、L2,二极管D1、D2、D3、D4,直流分压电容C1、C2,半导体开关器件S1、S2、S3、S4,高频升压变压器T及负载Z;整个电路为一体式整流逆变电路,整流部分采用Boost无桥式功率因数校正电路,逆变部分采用半桥式逆变结构。本发明整流和逆变部分均采用全控型件,具备功率因数校正功能,直流侧电压可调,可实现脉冲幅度调制(PAM),脉冲频率调制(PFM)和脉冲密度调制(PDM)等多种调制技术的组合控制,电路易于滤波,制造成本低,适用性高的优点。
申请公布号 CN102664538A 申请公布日期 2012.09.12
申请号 CN201210148595.6 申请日期 2012.05.15
申请人 南昌工程学院 发明人 赵冉
分类号 H02M5/458(2006.01)I;H02M1/42(2007.01)I 主分类号 H02M5/458(2006.01)I
代理机构 南昌洪达专利事务所 36111 代理人 刘凌峰
主权项 一种高功率因数介质阻挡放电电源电路,其特征在于:它包括交流输入电感L1、L2,二极管 D1、D2、D3、D4,直流分压电容C1、C2,半导体开关器件S1、S2、S3、S4,高频升压变压器T及负载Z;其中半导体开关器件S3的一端与S4的一端相连,直流分压电容C1的一端与直流分压电C2的一端相连,二极管D2的阳极与D3的阴极相连,半导体开关器件S3的另一端、直流分压电容C1的另一端以及二极管D2的阴极均与二极管D1的阴极相连,半导体开关器件S4的另一端、直流分压电容C2的另一端以及二极管D3的阳极均与二极管D4的阳极相连;二极管D1的阳极与二极管D4的阴极相连;交流输入电感L1的一端和交流输入电感L2的一端输入交流电,交流输入电感L1的另一端连接在二极管 D1、D4之间,交流输入电感L2的另一端连接在二极管D2、D3之间;半导体开关器件S1与二极管D4并联,半导体开关器件S2与二极管D3并联;高频升压变压器T的输入线圈的两端分别连在直流分压电容C1、C2之间和半导体开关器件S3、S4之间,高频升压变压器T的输出线圈的两端分别连接在负载Z的两端。
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