减小存储器沟道与浮置栅极耦合的数据状态相关沟道升压

摘要

在编程操作中，在被选字线上的被选存储元件被编程而在该被选字线上的未被选存储元件通过沟道升压被禁止编程。为提供充分但不过高的升压电平，可基于未被选存储元件的数据状态设置升压的量。能够为较低的数据状态提供较大量的升压，较低的数据状态代表较低阈值电压，因而更易受编程干扰的影响。可针对多个数据状态的各组使用共同升压方案。可通过调整用于沟道预充电操作及用于施加给字线的通过电压的电压幅度和时间而设置升压的量。在一种方法中，可使用未被选字线上的步进通过电压，以使用被选数据状态来调整沟道的升压。

主权项

一种用于操作非易失性存储系统的方法，包括：执行至少一个编程迭代，在所述至少一个编程迭代中，向被选字线施加编程脉冲，所述被选字线与形成在衬底上的存储元件集合中的存储元件子集连通，并且所述被选字线是与所述存储元件集合连通的多个字线中的一个字线；及在施加所述编程脉冲之前，确定在所述存储元件子集中的第一未被选存储元件具有处于第一组一个或多个数据状态中的数据状态，确定在所述存储元件子集中的第二未被选存储元件具有处于第二组一个或多个数据状态中的数据状态，使用与所述第一组关联的第一升压方案对所述衬底的、与所述第一未被选存储元件关联的第一沟道区进行升压，并且使用与所述第二组关联的第二升压方案对所述衬底的、与所述第二未被选存储元件关联的第二沟道区进行升压。