发明名称 |
提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构 |
摘要 |
本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构,包括:提供包含PMOS有源区和周边区域的衬底;在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构;刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽;以及在所述拉应力凹槽内填充压应力材料。本发明制作方法不会对器件形状造成破坏,而且避免了制作工艺对器件性能的干扰,并且制造工艺要求低,也有利于器件尺寸的持续缩小,同时提高了载流子迁移率从而改善器件性能。 |
申请公布号 |
CN102664182A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201210170354.1 |
申请日期 |
2012.05.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
刘格致;黄晓橹 |
分类号 |
H01L27/085(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/085(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法,其特征在于,包括:提供包含PMOS有源区和周边区域的衬底;在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构;刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽;以及在所述拉应力凹槽内填充压应力材料。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |