发明名称 光半导体装置用晶片接合材料及使用其的光半导体装置
摘要 本发明提供一种导热性高,使用了晶片接合材料的光半导体装置不易产生裂纹的光半导体装置用晶片接合材料。本发明涉及的光半导体装置用晶片接合材料包含:具有与硅原子键合的氢原子的第1有机硅树脂;不具有与硅原子键合的氢原子,并且具有烯基的第2有机硅树脂;硅氢化反应用催化剂;以及选自下述物质中的至少一种:以化学式MgCO3表示的不含结晶水的碳酸镁无水盐、及该碳酸镁无水盐的表面被有机树脂、有机硅树脂或二氧化硅包覆的包覆体。
申请公布号 CN102668141A 申请公布日期 2012.09.12
申请号 CN201180004941.7 申请日期 2011.06.07
申请人 积水化学工业株式会社 发明人 西村贵史;渡边贵志
分类号 H01L33/48(2006.01)I;C08K3/26(2006.01)I;C08L83/05(2006.01)I;C08L83/07(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I 主分类号 H01L33/48(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 刘国军
主权项 一种光半导体装置用晶片接合材料,其包含:第1有机硅树脂,其具有与硅原子键合的氢原子;第2有机硅树脂,其不具有与硅原子键合的氢原子,并且具有烯基;硅氢化反应用催化剂;以及选自下述物质中的至少一种:以化学式MgCO3表示的不含结晶水的碳酸镁无水盐、及该碳酸镁无水盐的表面被有机树脂、有机硅树脂或二氧化硅包覆的包覆体。
地址 日本大阪府