| 发明名称 | 基板处理装置及方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理装置及一种基板处理方法，其能够防止基板受热并有效地收集残余沉积材料。该基板处理装置包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间被划分成一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及一冷却板单元，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段并适以冷却该薄膜形成段的内部。此外，该基板处理装置更包括至少一个冷阱单元，该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元的一下部，用以收集由该材料喷嘴单元喷射的全部沉积材料中未沉积于基板上而遗留的残余沉积材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102668026A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201080046511.7 | 申请日期 | 2010.10.04 |
| 申请人 | 韩商SNU精密股份有限公司 | 发明人 | 朴昞慜;孔斗源;孙成官;赵晃新;郑成在;朴喜载 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭蔚 |
| 主权项 | 一种基板处理装置，包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及一冷却板单元，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段，并适以冷却该薄膜形成段的内部。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||