发明名称 |
薄膜晶体管 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管,薄膜晶体管包括基板、栅极、栅绝缘层、主动层、源极、漏极,栅极设置于基板上,栅绝缘层覆盖栅极及基板,主动层设置于该栅绝缘层上,并位于栅极上方,源极和漏极分别设置于主动层上,且源极与源极相对设置;其中,栅绝缘层包括设置于栅极及基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层,且第一栅绝缘层的膜质比第二栅绝缘层的膜质致密,因而,即使在切割或者制造过程中产生了静电,本发明的栅极与源极、漏极之间也不容易发生静电击穿的现象。 |
申请公布号 |
CN102664194A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201210102931.3 |
申请日期 |
2012.04.10 |
申请人 |
深超光电(深圳)有限公司 |
发明人 |
许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一薄膜晶体管,包括:一基板;一栅极,设置于该基板上;一栅绝缘层,覆盖该栅极及该基板;一主动层,设置于该栅绝缘层上,并位于该栅极上方;一源极,设置于该主动层上;一漏极,设置于该主动层上,并与该源极相对设置;其中,该栅绝缘层包括设置于栅极及该基板上的第一栅绝缘层、在该第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层,且该第一栅绝缘层的膜质比该第二栅绝缘层的膜质致密。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路深超光电科技园A栋 |