发明名称 |
双层ITO布线结构 |
摘要 |
本发明公开了一种双层ITO布线结构,所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极,所述第一种触控电极包括一体成型的若干个弧形四角星,所述弧形四角星的每条边水平向外延伸形成复数个矩形分支,所述矩形分支的宽度相等,其边缘位于同一垂直线上,若干个弧形四角星通过所述弧形四角星的水平角相连接;所述第二种触控电极包括一主干,所述主干延伸有若干个支干,且所述主干的宽度是所述支干宽度的两倍;所述第一种触控电极和所述第二种触控电极相间交错排列。通过上述方式,本发明显著提高了ITO层的侦测灵敏度和线性度。 |
申请公布号 |
CN102662544A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201210091029.6 |
申请日期 |
2012.03.31 |
申请人 |
苏州瀚瑞微电子有限公司 |
发明人 |
孟得全 |
分类号 |
G06F3/044(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/044(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种双层ITO布线结构,所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极,其特征在于,所述第一种触控电极包括一体成型的若干个弧形四角星,所述弧形四角星的每条边水平向外延伸形成复数个矩形分支,所述矩形分支的宽度相等,其边缘位于同一垂直线上,若干个弧形四角星通过所述弧形四角星的水平角相连接;所述第二种触控电极包括一主干,所述主干延伸有若干个支干,且所述主干的宽度是所述支干宽度的两倍;所述第一种触控电极和所述第二种触控电极相间交错排列。 |
地址 |
215163 江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1栋3楼 |