发明名称 |
一种IGBT过流保护电路 |
摘要 |
本实用新型公开一种IGBT过流保护电路,其包括,一晶体管,其具有一基极、一发射极及一集电极;一第一电阻,其具有一第一端及一第二端,所述第一电阻的第一端连接所述晶体管的基极,所述第一电阻的第二端连接所述晶体管的发射极;一二极管,其具有一正极及一负极,所述二极管的正极连接所述晶体管的发射极,所述二极管的负极连接所述晶体管的集电极;一可调电阻,其具有一第一端、一第二端及一滑动端,所述可调电阻的第一端接地,所述可调电阻的第二端连接一驱动模块,所述可调电阻的滑动端连接所述晶体管的集电极。本实用新型可提高检测精度,增加系统可靠性,降低故障率。 |
申请公布号 |
CN202433435U |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201220026510.2 |
申请日期 |
2012.01.19 |
申请人 |
华锐风电科技(集团)股份有限公司 |
发明人 |
张少杰;宋志强;黄玉龙;刘志;陈宇 |
分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 |
代理人 |
孙皓晨 |
主权项 |
一种IGBT过流保护电路,其特征在于,其包括,一晶体管,其具有一基极、一发射极及一集电极;一第一电阻,其具有一第一端及一第二端,所述第一电阻的第一端连接所述晶体管的基极,所述第一电阻的第二端连接所述晶体管的发射极;一二极管,其具有一正极及一负极,所述二极管的正极连接所述晶体管的发射极,所述二极管的负极连接所述晶体管的集电极;一可调电阻,其具有一第一端、一第二端及一滑动端,所述可调电阻的第一端接地,所述可调电阻的第二端连接一驱动模块的一输入端,所述可调电阻的滑动端连接所述晶体管的集电极,所述驱动模块的另一输入端连接所述晶体管的发射极,所述驱动模块的输出端连接晶体管的基极。 |
地址 |
100872 北京市海淀区中关村大街59号文化大厦19层 |