| 发明名称 | 半导体发光二极管器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体发光二极管器件及其形成方法，所述器件包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。本发明能够更好地满足LED器件对电极焊接层的需求，能够提高在大电流下的抗电迁移性，提升器件的热稳定性，与常规的铝材料相比提高器件使用寿命，并有利于产业化成本的控制。 | ||
| 申请公布号 | CN102664227A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201210130161.3 | 申请日期 | 2012.04.27 |
| 申请人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 发明人 | 张昊翔;金豫浙;封飞飞;万远涛;高耀辉;李东昇;江忠永 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种半导体发光二极管器件，包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；其特征在于，所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区(下沙)10大街300号 | ||