发明名称 |
栅极下拉的MOSFET |
摘要 |
下拉MOSFET (110)耦合在开关类型DC-DC功率转换器中的MOSFET主开关晶体管(102)的漏极和栅极之间。下拉MOSFET (110)的栅极通过电容器(118)耦合到主开关晶体管(102)的漏极,并通过电阻器(120)连接到主开关晶体管(102)的源极。下拉MOSFET(110)由对主开关晶体管(102)的电压降的电容耦合来操作且可以用于将主开关晶体管(102)的栅极保持在其源极电位或接近其源极电位,从而避免或降低主开关晶体管(102)由于密勒效应而造成的无意开启。 |
申请公布号 |
CN102668381A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201080059060.0 |
申请日期 |
2010.12.22 |
申请人 |
德克萨斯仪器股份有限公司 |
发明人 |
S·徐;J·科瑞克;O·J·洛佩斯 |
分类号 |
H03K17/687(2006.01)I;H03K17/06(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/687(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
一种MOSFET器件,包含:具有漏极、源极和栅极的主功率MOSFET;下拉MOSFET,所述下拉MOSFET的漏极连接到所述主功率MOSFET的栅极,所述下拉MOSFET的源极连接到所述主功率MOSFET的源极;和电容器,其连接在所述下拉MOSFET的栅极和所述主功率MOSFET的漏极之间;由此,在所述主功率MOSFET关闭期间在所述主功率MOSFET的漏极处的电压偏置dv/dt使所述下拉MOSFET开启并且将所述主功率MOSFET的栅极保持在源极电位或接近源极电位,从而防止在关闭期间所述主功率MOSFET开启。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |