发明名称 | 混合式存储器架构 | ||
摘要 | 用于提供具有易失性和非易失性存储器的混合式存储器模块来替代处理系统中的DDR通道的方法和装置。 | ||
申请公布号 | CN102667735A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
申请号 | CN201080059364.7 | 申请日期 | 2010.11.29 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | K·K·钦纳斯瓦密;R·B·奥斯本;E·W·彼得 |
分类号 | G06F12/00(2006.01)I;G06F13/10(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张东梅 |
主权项 | 一种具有集成电路(IC)封装的系统,所述系统包括:设置在IC封装内的处理核;经由IC封装内的内部接口与所述处理核相耦合的易失性存储器,所述易失性存储器用作末级硬件管理的高速缓存存储器;经由所述IC封装内的内部接口与所述处理核相耦合的非易失性存储器,所述非易失性存储器用作盘高速缓存;与所述处理核相耦合的存储器接口,所述存储器接口提供至外部存储组件的通信接口。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |