发明名称 | 采用化学机械抛光的半导体晶片再利用 | ||
摘要 | 减少半导体给体晶片损伤的方法和装置包括以下步骤:(a)旋转抛光垫,旋转半导体给体晶片,向抛光垫施加抛光浆料,将半导体给体晶片和抛光垫压在一起;以及(b)旋转抛光垫和半导体给体晶片,中断施加抛光浆料,向抛光垫施加清洗流体,并将半导体给体晶片和抛光垫压在一起,其中步骤(a)和步骤(b)至少依次进行两次,在步骤(a)的至少两个相继时段中减小以下至少一个参数:(i)将半导体给体晶片和抛光垫压在一起的压力,(ii)抛光浆料中磨料的平均粒度,以及(iii)浆料在水和稳定剂中的浓度。 | ||
申请公布号 | CN102668043A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
申请号 | CN201080049837.5 | 申请日期 | 2010.10.26 |
申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | J·班凯蒂斯;M·J·莫尔 |
分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
主权项 | 一种减少半导体给体晶片表面损伤的方法,所述方法包括以下步骤:(a)旋转抛光垫,旋转半导体给体晶片,向所述抛光垫施加抛光浆料,将所述半导体给体晶片和所述抛光垫压在一起;以及(b)旋转所述抛光垫和所述半导体给体晶片,中断施加所述抛光浆料,向所述抛光垫施加清洗流体,并将所述半导体给体晶片和所述抛光垫压在一起,其中步骤(a)和步骤(b)至少依次进行两次,在步骤(a)的至少两个相继时段中减小以下至少一个参数:(i)将所述半导体给体晶片和所述抛光垫压在一起的压力,(ii)所述抛光浆料中磨料的平均粒度,以及(iii)所述浆料在水和稳定剂中的浓度。 | ||
地址 | 美国纽约州 |