发明名称 |
一种微纳米拓扑智能膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种微纳米拓扑智能膜及其制备方法,本发明属于膜材料领域,特别涉及智能膜及其制备方法。所述微纳米拓扑智能膜温度响应范围为31℃-33℃,所述微纳米拓扑智能膜可由下述方法制得:(1)微纳米拓扑膜的制备;(2)微纳米拓扑智能膜的制备:将N-异丙基丙烯酰胺(NIPAAm)溶于二甲基亚砜(DMSO)中,充氮气除去空气,拓扑膜在氮气环境下用等离子体处理30s~120s,放入N-异丙基丙烯酰胺溶液中,继续维持氮气环境15min后密封,水浴振荡,最后清洗干燥,得到微纳米拓扑智能膜。本发明所述制备方法工艺流程简单,实验条件温和,不需要特殊设备,投资成本低,便于工业化实施。 |
申请公布号 |
CN102250373B |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201110138882.4 |
申请日期 |
2011.05.27 |
申请人 |
天津工业大学 |
发明人 |
陈莉;贺晓凌;聂萍萍;赵义平 |
分类号 |
C08J7/18(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08F257/02(2006.01)I;C08F120/54(2006.01)I;C12N5/00(2006.01)I |
主分类号 |
C08J7/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种微纳米拓扑智能膜,其特征在于所述微纳米拓扑智能膜温度响应范围为31℃‑33℃,所述微纳米拓扑智能膜由下述方法制得:(1)微纳米拓扑膜的制备:将聚苯乙烯(PS)溶于四氢呋喃,在具有拓扑结构的硅片上用刮膜法刮涂聚苯乙烯膜,真空干燥,得到PS拓扑膜,清洗干燥;(2)微纳米拓扑智能膜的制备:将N‑异丙基丙烯酰胺(NIPAAm)溶于二甲基亚砜(DMSO)中,充氮气除去空气,PS拓扑膜在氮气环境下用等离子体处理30s~120s,放入N‑异丙基丙烯酰胺溶液中,继续维持氮气环境15min后密封,40~60℃水浴振荡2~24h,清洗干燥;得到微纳米拓扑智能膜。 |
地址 |
300160 天津市河东区成林道63号 |