| 发明名称 | 形成场效应晶体管的方法及形成包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路的集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括形成场效应晶体管的方法、形成场效应晶体管栅极的方法、形成包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路的集成电路的方法及形成包含包括第一栅极及第二接地隔离栅极的晶体管栅极阵列的集成电路的方法。在一个实施方案中，一种形成场效应晶体管的方法包括在衬底的半导电材料(11)上方形成掩蔽材料(22、24、26)。形成穿过掩蔽材料(22、24、26)并进入半导电材料(11)中的沟槽(30)。在半导电材料(11)中的沟槽(30)内形成栅极介电材料(32)。在掩蔽材料(22、24、26)中的沟槽(30)内且在栅极介电材料(32)上方的半导电材料(11)中的沟槽(30)内沉积栅极材料(34)。形成源极/漏极区域。本发明还预期其它方面及实施方案。 | ||
| 申请公布号 | CN101375381B | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN200780003728.8 | 申请日期 | 2007.01.23 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 金永毕;库纳尔·R·帕雷克 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 一种形成场效应晶体管的方法，其包含：在衬底的半导电材料上方形成掩蔽材料；形成穿过所述掩蔽材料且进入所述半导电材料中的沟槽；在所述半导电材料中的所述沟槽内形成栅极介电材料；在所述掩蔽材料中的所述沟槽内及所述栅极介电材料上方的所述半导电材料中的所述沟槽内沉积栅极材料；使所述栅极材料凹入以在所述掩蔽材料中的沟槽内接纳一平坦的最外部表面，所述平坦的最外部表面完全穿过所述掩蔽材料中的沟槽；在使所述栅极材料凹入之后至少移除大部分所述掩蔽材料；及形成源极/漏极区域。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||