发明名称 |
多级相关磁系统以及使用多级相关磁系统的方法 |
摘要 |
本发明记载了一种包括第一相关磁结构(1002a)和第二相关磁结构(1002b)的多级相关磁系统(1000)以及使用该多级相关磁系统的方法。本文中还描述了可集成一个或多个所述多级相关磁系统的各种装置,包括瞬时快动开关、缓冲装置、以及爆炸玩具。 |
申请公布号 |
CN102667974A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201080043175.0 |
申请日期 |
2010.09.18 |
申请人 |
相关磁学研究公司 |
发明人 |
戴维·P·马查多 |
分类号 |
H01F7/02(2006.01)I;E05C19/16(2006.01)I;F16C39/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01F7/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
杨生平;钟锦舜 |
主权项 |
一种多级相关磁系统,其包括:第一相关磁结构,其包括具有多个经编码磁源的第一部分以及具有一个或多个磁源的第二部分;第二相关磁结构,其包括具有多个互补的经编码磁源的第一部分以及具有一个或多个磁源的第二部分;其中,所述第一相关磁结构与所述第二相关磁结构对准,从而所述第一部分位于彼此对面,且所述第二部分位于彼此对面;并且其中,所述第一部分各自相比所述第二部分产生更高的峰值力,而所述第一部分各自相比所述第二部分具有更快的场消失速率,使得:(1)当所述第一相关磁结构与第二相关磁结构分开的距离等于过渡距离时,所述第一部分产生的磁力被所述第二部分产生的磁力抵消;(2)当所述第一相关磁结构与第二相关磁结构具有的彼此间的间距小于所述过渡距离时,所述第一部分所产生的磁力强于所述第二部分所产生的磁力;并且(3)当所述第一相关磁结构与第二相关磁结构之间的所述间距大于所述过渡距离时,所述第一部分所具有的磁力弱于所述第二部分所产生的磁力。 |
地址 |
美国亚拉巴马州纽霍普皮特小巷125号 |