发明名称 | 掺杂物源及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明在于提供一种掺杂物源,其中,B2O3挥发量不易经时降低,长期具有良好的B2O3挥发能力。掺杂物源具有包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体,其中,以摩尔%表示,硼成分挥发层含有30~60%的SiO2、10~30%的Al2O3、15~50%的B2O3和2~15%的RO,耐热层含有8~40%的SiO2、40~85%的Al2O3、5~30%的B2O3和0.5~7%的RO,其中,R是碱土金属。叠层体的至少一侧的最外层由硼成分挥发层构成。叠层体还在叠层体内部包括硼成分挥发层。构成叠层体的至少一侧的最外层的硼成分挥发层中的B2O3的含有率比叠层体内部的硼成分挥发层中的B2O3的含有率低。 | ||
申请公布号 | CN102668035A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
申请号 | CN201080052777.2 | 申请日期 | 2010.11.22 |
申请人 | 日本电气硝子株式会社 | 发明人 | 铃木良太;马屋原芳夫 |
分类号 | H01L21/223(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | 一种掺杂剂源,其特征在于:具有包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体,其中,以摩尔%表示,硼成分挥发层含有30~60%的SiO2、10~30%的Al2O3、15~50%的B2O3和2~15%的RO,耐热层含有8~40%的SiO2、40~85%的Al2O3、5~30%的B2O3和0.5~7%的RO,其中,R是碱土金属,所述叠层体的至少一侧的最外层由所述硼成分挥发层构成,并且,所述叠层体还在所述叠层体内部包括所述硼成分挥发层;构成所述叠层体的至少一侧的最外层的硼成分挥发层中的B2O3的含有率比所述叠层体内部的硼成分挥发层中的B2O3的含有率低。 | ||
地址 | 日本滋贺县 |