发明名称 一种双面冷却的功率半导体模块
摘要 一种双面冷却的功率半导体模块。所述的功率半导体模块(100)含有至少两个功率半导体芯片(107、106),其位于第一衬底(115)和第二衬底(103)之间。每个衬底均由三层结构组成:中间一层为高导热的电绝缘层,电绝缘层的上层和下层为金属层。所述的金属层含有电路结构,通过焊接实现功率半导体芯片、正极端子、负极端子、交流输出端子和栅极控制端子之间的互联。功率半导体芯片的栅极控制端子位于该芯片的中间或边角处。一块凹形冷却板倒扣安装在第一衬底(115)上的绝缘层(117)或第一金属层(215a)上,另一块平板状冷却板水平布置在第二衬底(103)下面。所述的功率半导体芯片的热量通过第一衬底(115)和第二衬底(103)传导至两块冷却板散热,从而实现双面冷却。
申请公布号 CN102664177A 申请公布日期 2012.09.12
申请号 CN201210153042.X 申请日期 2012.05.16
申请人 中国科学院电工研究所 发明人 钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 关玲
主权项 一种双面冷却的功率半导体模块,其特征在于,所述的功率半导体模块(100)由功率半导体芯片(106、107)、衬底(103、115)、冷却板(101、112)、正极端子(121)、负极端子(123)、交流输出端子(122)、栅极引出端子(118),以及发射极引出端子(119)组成;功率半导体模块至少包括两个功率半导体芯片(106、107);所述的功率半导体芯片(106、107)位于第一衬底(115)和第二衬底(103)之间;第一衬底(115)和第二衬底(103)均包含三层结构:中间一层为电绝缘层,电绝缘层的上层和下层均为金属层;所述的金属层含有电路结构,所述的功率半导体芯片(106、107)通过所述的电路结构和所述的功率半导体模块的正极端子(121)、交流输出端子(122)和负极端子(123)连接;第一冷却板(112)为凹形,倒扣安装在位于第一衬底(115)的绝缘层(117)上;第二冷却板(101)为平板状,水平布置在第二衬底(103)下面;所述的功率半导体芯片(106、107)的热量通过第一衬底(115)传导至第一冷却板(112),并通过第二衬底(103)传导至第二冷却板(101)进行散热;第一冷却板(112)和第二冷却板(101)用螺栓(111)固联在一起,形成所述的功率半导体模块的外壳;在所述外壳内的空间填充有树脂(120)。
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