发明名称 | 基于SET/MOS混合结构的D触发器 | ||
摘要 | 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种基于SET/MOS混合结构的D触发器,其由1个电容,2个PMOS管,2个NMOS管和1个SET构成。利用HSPICE对该电路进行了仿真验证。仿真结果表明该电路能够有效地实现D触发器的逻辑功能,整个电路的平均功耗仅为8.67nW。与基于传统的CMOS设计的D触发器相比,管子数目大大减少,功耗显著降低,电路结构得到了进一步的简化,有利于节省芯片的面积,提高电路的集成度。该结构有望广泛应用于环形振荡器、分频器、有限状态机等时序逻辑电路中。 | ||
申请公布号 | CN202435358U | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
申请号 | CN201220001498.X | 申请日期 | 2012.01.05 |
申请人 | 福州大学 | 发明人 | 魏榕山;陈锦锋;陈寿昌;何明华 |
分类号 | H03K3/012(2006.01)I;H03K3/02(2006.01)I | 主分类号 | H03K3/012(2006.01)I |
代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
主权项 | 一种基于SET/MOS混合结构的D触发器,其特征在于,其包括:一第一NMOS管, 其源极为该D触发器的输入端;一第一PMOS管,其漏极与所述第一NMOS管的漏极连接;一时钟信号输入端,其与所述的第一NMOS管和第一PMOS管的栅极连接;一电容,其一端与所述第一NMOS管的漏极连接,另一端接地;以及一单输入SET/MOS混合电路,其输入、输出端分别与所述第一PMOS管的源极连接。 | ||
地址 | 350002 福建省福州市铜盘路软件大道89号软件园A区31号楼五层 |