| 发明名称 |
Procédé de préparation de dispositifs utilisant des couches de transition entre semiconducteurs des types p et n |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR63200(E) |
申请公布日期 |
1955.08.25 |
| 申请号 |
FRD63200 |
申请日期 |
1952.08.29 |
| 申请人 |
COMPAGNIE FRANCAISE THOMSON-HOUSTON |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/18;H01L21/22;H01L21/228;H01L21/24;H01L21/30;H01L23/02;H01L23/051;H01L23/40;H01L23/48;H01L25/03;H01L25/10;H01L27/08;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/36;H01L29/72;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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