| 发明名称 | 制造掺杂硅层的方法、可通过该方法获得的硅层及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在衬底上制造掺杂硅层的方法，步骤包括：(a)提供液体硅烷配制剂和衬底，(b)将所述液体硅烷配制剂施加到所述衬底上，(c)引入电磁能和/或热能，获得至少部分多形性的硅层，(d)提供包括至少一种含铝金属配合物的液体制剂，(e)将此制剂施加到按步骤(c)获得的硅层上，然后，(f)通过引入电磁能和/或热能加热按步骤(e)获得的涂层，将按步骤(d)获得的制剂至少分解成金属和氢气，然后，(g)冷却按步骤(f)获得的涂层，得到Al掺杂的或Al和金属掺杂的硅层。本发明还涉及可通过所述方法获得的掺杂硅层及其在制造光敏元件和电子元器件中的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102668036A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201080052343.2 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 赢创德固赛有限公司 | 发明人 | B.施蒂策尔;W.法尔纳 |
| 分类号 | H01L21/228(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/228(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 周铁;林森 |
| 主权项 | 在衬底上制造掺杂硅层的方法，包括以下步骤：(a)提供液体硅烷配制剂和衬底，(b)将所述液体硅烷配制剂施加到所述衬底上，(c)引入电磁能和/或热能，获得至少部分多形性的硅层，(d)提供包括至少一种含铝金属配合物的液体制剂，(e)将此制剂施加到按步骤(c)获得的硅层上，然后(f)通过引入电磁能和/或热能加热按步骤(e)获得的涂层，其中将按步骤(d)获得的制剂至少分解成金属和氢气，然后(g)冷却按步骤(f)获得的涂层，得到铝掺杂的或铝和金属掺杂的硅层。 | ||
| 地址 | 德国埃森 | ||