固体摄像器件

摘要

本发明提供一种固体摄像器件，该固体摄像器件的构成像素的岛状半导体(1a)，具备：第1半导体N+区域(2)，形成于衬底上；第2半导体P区域(3)，形成于区域(2)上；第3半导体N区域(6a、6b)，形成于区域(3)的上部侧面区域；绝缘层(4a、4b)，形成于区域(6a、6b)的外周部及区域(2)的下部侧面区域的外周部；栅极导体层(5a、5b)，形成于绝缘层(4a、4b)的外周部，且发挥作为在区域(2)的下部区域形成沟道的栅极电极的功能；光反射导体层(9a、9b)，形成于除了栅极导体层(5a、5b)以外的N区域(6a、6b)及绝缘层(4a、4b)的外周部；第5半导体P+区域(10)，形成于区域(3)及区域(6a、6b)上；以及微透镜(11)，形成于区域(10)上，且焦点位于区域(10)的上表面附近。

主权项

一种固体摄像器件，具有多个像素排列成二维状，其特征在于，在衬底上形成有构成所述多个像素的多个岛状半导体：所述各岛状半导体分别具有：第1半导体区域，形成于该岛状半导体下部；第2半导体区域，形成于所述第1半导体区域上且为与所述第1半导体领域相反的导电型或固有半导体；第3半导体区域，形成于所述第2半导体区域的上部侧面区域且为与所述第1半导体区域相同的导电型；第4半导体区域，形成于所述第3半导体区域的外周部且为与所述第1半导体区域相反的导电型；绝缘层，形成于所述第4半导体区域及所述第2半导体区域的下部侧面区域的外周部；导体层，形成于所述绝缘层的外周部，且作为于所述第2半导体区域的下部区域形成沟道的栅极电极而发挥功能；反射导体层，形成于所述第3半导体区域、所述第4半导体区域及所述绝缘层的外周部，而反射电磁能量波；第5半导体区域，形成于所述第2半导体区域及所述第3半导体区域的上部区域，且为与所述第4半导体区域相同的导电型；以及微透镜，形成于所述第5半导体领域上，焦点在该第5半导体区域上表面附近的位置；所述岛状半导体含有：作为光电变换部而发挥功能的部位；作为信号电荷蓄积部而发挥功能的部位；作为信号电荷读取部而发挥功能的部位；以及作为蓄积信号电荷去除部而发挥功能的部位；所述光电变换部由以所述第2半导体区域及所述第3半导体区域构成的光电二极管区域所构成，通过入射至所述微透镜的电磁能量波而于所述光电变换部产生信号电荷；所述信号电荷蓄积部由所述第3半导体区域构成且将于所述光电变换部中产生的信号电荷加以蓄积：所述信号电荷读取部由以所述第5半导体区域、所述第2半导体区域的下部区域作为漏极或源极，且以所述信号电荷蓄积部为栅极的接合晶体管所构成，并且以将对应于蓄积在所述信号电荷蓄积部的信号电荷量而变化的于所述接合晶体管的漏极与源极间流动的漏极/源极间电流作为输出信号而读取的方式发挥功能；所述蓄积信号电荷去除部由以所述第1半导体区域作为漏极、以所述导体层作为栅极、以所述第3半导体区域作为源极、以被所述第1半导体区域和所述第3半导体区域挟持的所述第2半导体区域作为沟道的MOS晶体管所构成，且通过于所述导体层施加预定电压而将蓄积于所述信号电荷蓄积部的信号电荷去除到所述第1半导体区域的方式发挥功能。