| 发明名称 | 半导体背散射电子探测器 | ||
| 摘要 | 一种半导体背散射电子探测器，包括衬板、设置在所述衬板上的四个长方形硅片和电子束孔，四个长方形硅片内分别设置有导线并形成四个独立的单元，四个长方形硅片首尾相接围成一个正方形区域，所述电子束孔位于所述正方形区域内。所述的半导体背散射电子探测器结构简单，加工效率高，成本低廉，报废率低并且不影响成像。 | ||
| 申请公布号 | CN202434463U | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201220056214.7 | 申请日期 | 2012.02.21 |
| 申请人 | 南京特能电子有限公司 | 发明人 | 陈芹纯 |
| 分类号 | H01J37/244(2006.01)I;H01J37/28(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/244(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种半导体背散射电子探测器，其特征在于：包括衬板（1）、设置在所述衬板（1）上的四个长方形硅片（2,3,4,5）和电子束孔（6），四个长方形硅片（2,3,4,5）内分别设置有导线（8,9,10,11）并形成四个独立的单元，四个长方形硅片（2,3,4,5）首尾相接围成一个正方形区域（7），所述电子束孔（6）位于所述正方形区域（7）内。 | ||
| 地址 | 210039 江苏省南京市雨花经济开发区凤汇大道33号 | ||