相变存储元件

摘要

一种制造在半导体结构中的相变存储元件以及具有该元件的半导体结构的方法，该方法包括：在底电极的上表面蚀刻开口，所述开口被形成为具有等于半导体结构中的同一层处的介质层中形成的金属区域的高度，在开口内沉积保形膜并且凹陷所述保形膜以暴露底电极的上表面，在开口中沉积相变材料，凹陷开口中的相变材料，以及在凹陷的相变材料上形成顶电极。

主权项

一种制造包括相变存储元件的半导体结构的方法，所述方法包括如下步骤：蚀刻到底电极的上表面的开口，所述第一开口被形成为具有的这样的高度，所述高度等于在所述半导体结构内的同一层处的介质层中形成的金属区域的高度；在所述开口内沉积保形膜并凹陷所述保形膜以暴露所述底电极的所述上表面；在所述开口内沉积相变材料；凹陷所述开口内的所述相变材料；以及在凹陷的相变材料上形成顶电极。