半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各由多个鳍式晶体管形成，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被并联连接从而在电气方面共用源极，其中所述多个鳍式晶体管各自包括鳍式活性层，所述鳍式活性层从半导体基板上突出，在所述鳍式活性层的一端上形成有用作所述源极的源极层且在所述鳍式活性层的另一端上形成有漏极层，从而形成沟道区域，所述鳍式活性层被配置为平行地彼此相邻，并且所述漏极层被布置为使电流在所述第一晶体管与所述第二晶体管中以相反的方向流过所述多个鳍式晶体管。该半导体装置提供了集成的鳍式场效应晶体管之间的窄间距宽度和极好匹配。

主权项

一种半导体装置，其包括单输入栅极成对晶体管，所述半导体装置包括由第一晶体管和第二晶体管形成的成对晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管采用鳍式晶体管，其中，由奇数编号的所述鳍式晶体管形成的所述第一晶体管的源极和由偶数编号的所述鳍式晶体管形成的所述第二晶体管的源极连接在一起，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极也连接在一起；各个所述鳍式晶体管具有从半导体基板上突出的鳍式活性层；各个所述鳍式活性层具有设于所述鳍式活性层的表面区域中的源极区域和设于所述表面区域中与所述源极区域分离的位置处的漏极区域，从而形成沟道区域；所述鳍式活性层以相同间距布置在一行，以使在所述鳍式活性层的所述源极区域和所述漏极区域之间的各个所述沟道区域中流过的电流彼此平行，所述鳍式活性层的尺寸相同或基本相同；各个所述第一晶体管和所述第二晶体管由2m个所述鳍式活性层形成，并且所述成对晶体管整体由4m个所述鳍式活性层形成，其中m表示2以上的整数；所述漏极区域和所述源极区域布置在形成所述第一晶体管的各个所述鳍式活性层中，以使流过第1至第(2m‑1)个所述鳍式活性层的各个所述沟道区域的所述电流的方向与流过第(2m+1)至第(4m‑1)个所述鳍式活性层的各个所述沟道区域的所述电流的方向相反；所述漏极区域和所述源极区域布置在形成所述第二晶体管的各个所述鳍式活性层中，以使流过第2至第2m个所述鳍式活性层的各个所述沟道区域的所述电流的方向与流过第(2m+2)至第4m个所述鳍式活性层的各个所述沟道区域的所述电流的方向相反；形成所述第一晶体管的所述鳍式活性层的所述漏极区域连接在一起；形成所述第二晶体管的所述鳍式活性层的所述漏极区域连接在一起；并且所述鳍式活性层的所述源极区域连接在一起。