| 发明名称 | 一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法，该种纯质碳化硅过滤膜层具有高通孔隙率、低压降、强度高、抗热冲击性能好、使用温度高的特点，制备方法易于实现，能够保证产品性能。纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜层孔隙率在25～50％之间。采用细碳化硅颗粒、硅粉、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料，采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层，经干燥后，烧结得到纯质碳化硅膜层。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐酸、碱腐蚀性能强，可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。 | ||
| 申请公布号 | CN102659447A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201210093722.7 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 张劲松;田冲;曹小明;杨振明 |
| 分类号 | C04B38/06(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I | 主分类号 | C04B38/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人 | 张志伟 |
| 主权项 | 一种纯质碳化硅过滤膜层，其特征在于：纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜层孔隙率在25～50％之间。 | ||
| 地址 | 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||