| 发明名称 | 提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法及器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种改善载流子迁移率的NMOS器件的制作方法及器件结构，包括：提供包含NMOS有源区和周边区域的衬底；在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；以及在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料。本发明制作方法不会对器件形状造成破坏而且避免了制作工艺对器件性能的干扰，并且制造工艺要求低，也有利于器件尺寸的持续缩小，同时提高了载流子迁移率从而改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102664152A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201210170372.X | 申请日期 | 2012.05.28 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 刘格致;黄晓橹 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供包含NMOS有源区和周边区域的衬底；在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；以及在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||