| 发明名称 |
三维积体电路直通矽晶穿孔元件之静电放电结构 |
| 摘要 |
一种三维积体电路直通矽晶穿孔元件之静电放电结构，包括一基板、贯穿前述基板且等效成一RLC元件的直通矽晶穿孔元件、以及位于基板中并与所述直通矽晶穿孔元件的一端电性相连的至少一静电放电元件。这样的静电放电结构可保护3D IC电路及TSV元件。 |
| 申请公布号 |
TWI372457 |
申请公布日期 |
2012.09.11 |
| 申请号 |
TW098109183 |
申请日期 |
2009.03.20 |
| 申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
林志昇;萧智文;苏耿立 |
| 分类号 |
H01L23/60 |
主分类号 |
H01L23/60 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
