| 摘要 |
本发明揭示一种常规肖特基二极体(16)或具有一肖特基二极体特征之一装置(90)，其系与一MOS电晶体(18、92)串联耦合，以提供漏电及崩溃电压方面之一显着改进，而正向电流中仅有一较小的降级。在反向偏压的情况下，存在一较小的反向偏压电流，但是横跨肖特基二极体(16、90)的电压由于该MOS电晶体(18、92)而保持较小。几乎全部的反向偏压电压系横跨该MOS电晶体，直至该MOS电晶体(18、92)崩溃。然而，此电晶体崩溃最初并非破坏性的，因为该肖特基二极体(16、90)会限制该电流。随着该反向偏压电压继续增加，该等肖特基二极体(16、90)开始吸收更多电压。此会增加该漏电，但是该崩溃电压在该电晶体(18、92)与该肖特基二极体(16、90)之间稍微增加。 |
