Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1), welcher eine erste Oberfläche (11) und eine der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist; b) Anordnen von zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) an der ersten Oberfläche (11) des Trägers (1), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) mit zumindest einem n-seitigen Bereich (21) und zumindest einem p-seitigen Bereich (24) gebildet ist, und mit dem n-seitigen Bereich (21) oder dem p-seitigen Bereich (24) auf der ersten Oberfläche (11) aufgebracht ist; c) Anordnen einer elektrisch isolierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen der Außenflächen (23) des Halbleiterchips (2) und der ersten Oberfläche (11) des Trägers (1); d) teilweises Entfernen der elektrisch isolierenden Umhüllung (3), wobei nach dem Entfernen zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Hauptfläche (22) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) zumindest stellenweise frei von der elektrisch isolierenden Umhüllung (3) ist.