发明名称 Anpassung des Gitterparameters einer Schicht aus verspanntem Material
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anpassen des Gitterparameters einer Keimschicht (3) aus verspanntem Material, das die folgenden aufeinanderfolgenden Schritte umfasst: a) es wird eine Struktur geschaffen, die eine Keimschicht (3) aus verspanntem Material, mit einem Gitterparameter A, einem Nenn-Gitterparameter An und einem Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE, eine Schicht (2) niedriger Viskosität und ein Zwischensubstrat (1) mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE1 aufweist; b) eine Wärmebehandlung wird durchgeführt, um die Keimschicht (3) aus verspanntem Material zu entspannen; und c) die Keimschicht (3) wird auf ein Trägersubstrat (5) mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE5 übertragen, wobei das Zwischensubstrat (1) und das Trägersubstrat (5) so gewählt werden, dass A1 < An und CTE1 ≤ CTE3 und CTE5 > CTE1 oder A1 > An und CTE1 ≥ CTE3 und CTE5 < CTE1.
申请公布号 DE112010001477(T5) 申请公布日期 2012.09.06
申请号 DE201011001477T 申请日期 2010.02.15
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 DUPONT, FREDERIC;GUENARD, PASCAL
分类号 H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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