Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) in einer Epitaxieanlage, – epitaktisches Abscheiden zumindest einer Zwischenschicht (2) auf das Aufwachssubstrat (1), – Erzeugen einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten strukturierten Oberfläche (3) an der dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der Zwischenschicht (2), – epitaktisches Abscheiden einer aktiven Schicht (4) auf die strukturierte Oberfläche (3), wobei – die strukturierte Oberfläche (3) in der Epitaxieanlage erzeugt wird, und – die aktive Schicht (4) der Strukturierung der strukturierten Oberfläche (3) zumindest stellenweise konform oder zumindest stellenweise im Wesentlichen konform folgt.